Samsung comienza la producción en masa de la primera DRAM LPDDR5 de 16 GB de la industria para teléfonos inteligentes premium de próxima generación

Basado en la tecnología de proceso de segunda generación de clase 10nm de Samsung, el paquete DRAM móvil LPDDR5 de 16 GB ofrece el mayor rendimiento y la mayor capacidad de la industria

Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha comenzado a producir en masa el primer paquete DRAM móvil LPDDR5 de 16 gigabytes (GB) de la industria para teléfonos inteligentes premium de próxima generación. Después de la producción en masa del primer LPDDR5 de 12 GB de la industria en julio de 2019, el nuevo avance de 16 GB liderará el mercado de memoria móvil premium con capacidad adicional que permite características mejoradas de 5G e IA, incluidos juegos con muchos gráficos y fotografía inteligente.

“Samsung se ha comprometido a llevar las tecnologías de memoria a la vanguardia para permitir a los consumidores disfrutar de experiencias increíbles a través de sus dispositivos móviles. Estamos entusiasmados de mantenernos fieles a ese compromiso con nuestra nueva solución móvil de primera línea para fabricantes de dispositivos globales «, dijo Cheol Choi, vicepresidente senior de ventas y marketing de memoria de Samsung Electronics. «Con la introducción de una nueva línea de productos basada en nuestra tecnología de proceso de próxima generación a finales de este año, Samsung podrá abordar por completo las futuras demandas de memoria de los clientes globales».

La velocidad de transferencia de datos para el LPDDR5 de 16 GB llega a 5,500 megabits por segundo (Mb / s), aproximadamente 1.3 veces más rápido que la memoria móvil anterior (LPDDR4X, 4266Mb / s). En comparación con un paquete LPDDR4X de 8GB, la nueva DRAM móvil ofrece más del 20 por ciento de ahorro de energía al tiempo que proporciona hasta el doble de capacidad.

El paquete DRAM móvil LPDDR5 de 16 GB de Samsung consta de ocho chips de 12 gigabits (Gb) y cuatro chips de 8 Gb, que equipan a los teléfonos inteligentes premium con el doble de la capacidad DRAM que se encuentran en muchas computadoras portátiles y PC para juegos de gama alta en la actualidad. Junto con el rendimiento ultrarrápido, la capacidad más grande de la industria admite juegos dinámicos y receptivos, así como gráficos de ultra alta resolución en teléfonos inteligentes premium para experiencias de juegos móviles altamente inmersivas.

A medida que Samsung continúa expandiendo la producción de DRAM móvil LPDDR5 en su sitio de Pyeongtaek, la compañía planea producir en masa productos LPDDR5 de 16 Gb basados ​​en tecnología de proceso de clase 10nm (1z) de tercera generación en la segunda mitad de este año, en línea con el desarrollo de un chipset de 6.400Mb / s. Se espera que esta implacable innovación posicione bien a Samsung para consolidar aún más su ventaja competitiva en mercados como dispositivos móviles premium, PC de alta gama y aplicaciones automotrices.

[Reference] Samsung Mobile DRAM Timeline: Production / Mass Prod.

Fecha
Capacidad
DRAM móvil
Dic.2019
16 GB
10nm clase 12Gb + 8Gb LPDDR5, 5500Mb / s
Septiembre 2019

12GB
(uMCP)

LPDDR4X de 24 Gb de clase 10nm, 4266 Mb / s
Julio 2019
12GB
LPDDR5 de 12 Gb de clase de 10 nm, 5500 Mb / s
Junio ​​2019
6GB
LPDDR5 de 12 Gb de clase de 10 nm, 5500 Mb / s
Febrero 2019
12GB
LPDDR4X de 16 Gb de clase 10nm, 4266 Mb / s
Julio 2018
8GB
LPDDR4X de 16 Gb de clase 10nm, 4266 Mb / s
Abril 2018
8GB
(desarrollo)
LPDDR5 de 8 Gb de clase 10nm, 6400 Mb / s
Septiembre 2016
8GB
LPDDR4X de 16 Gb de clase 10nm, 4266 Mb / s
Agosto 2015
6GB
20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb / s
Diciembre 2014
4 GB
20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb / s
Septiembre 2014
3GB
20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s
Noviembre 2013
3GB
LPDDR3 de 6 Gb de clase 20nm, 2133 Mb / s
julio 2013
3GB
20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb / s
abril 2013
2GB
20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb / s
Agosto 2012
2GB
LPDDR3 4Gb clase 30nm, 1600Mb / s
2011
1 / 2GB
LPDDR2 de 4 Gb de clase 30nm, 1066 Mb / s
2010
512MB
MDDR de 40 GB de clase 2 Gb, 400 Mb / s
2009
256MB
MDDR de clase 1 de 50 nm, 400 Mb / s

Deja un Comentario