Samsung anuncia la primera DRAM EUV de la industria con el envío del primer millón de módulos –

DRAM (D1x) de primera generación de 10nm de primera generación basada en EUV ha completado sus evaluaciones de clientes;
El EUV se desplegará completamente a partir de DRAM de 4a generación de clase 10nm (D1a) el próximo año

Samsung Electronics, el líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha enviado con éxito un millón de los primeros módulos DRAM DDR4 (Doble fecha de tasa 4) de clase 10nm (D1x) de la industria basados ​​en tecnología ultravioleta extrema (EUV). Los nuevos módulos DRAM basados ​​en EUV han completado evaluaciones globales de clientes y abrirán la puerta a nodos de proceso EUV más avanzados para usar en aplicaciones premium de PC, móviles, servidores empresariales y centros de datos.

«Con la producción de nuestra nueva DRAM basada en EUV, estamos demostrando nuestro pleno compromiso de proporcionar soluciones revolucionarias de DRAM en apoyo de nuestros clientes globales de TI», dijo Jung-bae Lee, vicepresidente ejecutivo de DRAM Product & Technology en Samsung Electronics. «Este gran avance subraya cómo continuaremos contribuyendo a la innovación global de TI a través del desarrollo oportuno de tecnologías de proceso de vanguardia y productos de memoria de próxima generación para el mercado de memoria premium».

Samsung es el primero en adoptar EUV en la producción de DRAM para superar los desafíos en el escalado de DRAM. La tecnología EUV reduce los pasos repetitivos en múltiples patrones y mejora la precisión de los patrones, permitiendo un rendimiento mejorado y mayores rendimientos, así como un tiempo de desarrollo más corto

EUV se desplegará completamente en las futuras generaciones de DRAM de Samsung, comenzando con su clase de 10nm de cuarta generación (D1a) o la DRAM de clase avanzada de 14nm. Samsung espera comenzar la producción en volumen de DDR5 y LPDDR5 basados ​​en D1a el próximo año, lo que duplicaría la productividad de fabricación de las obleas D1x de 12 pulgadas.

En línea con la expansión del mercado DDR5 / LPDDR5 el próximo año, la compañía fortalecerá aún más su colaboración con los principales clientes de TI y proveedores de semiconductores para optimizar las especificaciones estándar, ya que acelera la transición a DDR5 / LPDDR5 en todo el mercado de la memoria.

Para abordar mejor la creciente demanda de DRAM premium de próxima generación, Samsung comenzará la operación de una segunda línea de fabricación de semiconductores en Pyeongtaek, Corea del Sur, dentro de la segunda mitad de este año.

Cronología de los hitos de la DRAM de Samsung

Fecha
Hitos Samsung DRAM
2021 (por determinar)
4a generación 10nm-class (1a) Producción en masa de 16Gb DDR5 / LPDDR5 basada en EUV
Marzo 2020
Desarrollo de DRAM basado en EUV de 4a generación de clase 10nm (1a)
Septiembre de 2019
3a generación de 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 producción en masa
Junio ​​2019
2a generación de 10nm-class (1y) 12Gb LPDDR5 producción en masa
Marzo 2019
Desarrollo DDR4 de 8 Gb de 3a generación de clase 10nm (1z)
Noviembre de 2017
Segunda generación de 10nm-class (1y) 8Gb DDR4 producción en masa
Septiembre de 2016
Primera generación de 10nm-class (1x) 16Gb LPDDR4 / 4X producción en masa
Febrero de 2016
Primera generación de 10nm-class (1x) 8Gb DDR4 producción en masa
Octubre de 2015
20nm (2z) 12Gb LPDDR4 producción en masa
Diciembre 2014
20nm (2z) 8Gb GDDR5 producción en masa
Diciembre 2014
20nm (2z) 8Gb LPDDR4 producción en masa
Octubre 2014
20nm (2z) 8Gb DDR4 producción en masa
Febrero 2014
20nm (2z) 4Gb DDR3 producción en masa
Febrero 2014
20nm-class (2y) 8Gb LPDDR4 producción en masa
Noviembre de 2013
20nm-class (2y) 6Gb LPDDR3 producción en masa
Noviembre 2012
Producción en masa DDR3 de 4 Gb de clase 20nm (2y)
Septiembre de 2011
20nm-class (2x) 2Gb DDR3 producción en masa
Julio 2010
Producción en masa DDR3 de 2 Gb de clase 30nm
Febrero de 2010
Producción en masa DDR3 de 4 Gb de clase 40nm
Julio de 2009
Producción en masa DDR3 de 2 Gb de clase 40nm

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